დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიით მიკრო და ნანოხელსაწყოების მიღება

ავტორი: ამირან ბიბილაშვილი
თანაავტორები: ზ.ჯიბუტი, ზ.ყუშიტაშვილი
საკვანძო სიტყვები: ფოტოსტიმულირება, დიფუზია, ტრანზისტორი, მემრისტორი, პლაზმა, ანოდირება
ანოტაცია:

1. მიღებულია მკვეთრი p-n გადასასვლელი n ტიპის სილიციუმში ბორის იონების უწყვეტი წყაროდან ფოტოსტიმულირებული დიფუზიით. 2. შექმნილია ორჩამკეტიანი ველის ტრანზისტორი, სადაც ჩამკეტქვეშა დიელექტრიკად გამოყენებულია ულტრაიისფერი გამოსხივებით სტიმულირებული პლაზმური ანოდირებით მიღებული HfO2. 3. მიღებულია მემრისტორი ტიტანის მაგნეტრონული გაფრქვევით ჟანგბადის და არგონის სხვადასხვა პარციალურ წნევებზე. ვოლტ–ამპერული მახასიათებლის ჰისტერეზისი მეტყველებს მის მაღალ მემრისტორობაზე.

მიმაგრებული ფაილები:

თსუ კონფცIV-1 [ka]